Nd1.85Ce0.15CuO4±δ单晶ab面与c方向电阻率的比较

• 作者: 刘剑 孙成海 成路 曹烈兆 杨宏顺 王建彬 陈旭东 高慧贤
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电阻率 双载流子 隧穿几率
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 页码范围: 283-287
• 页数: 5页
• 分类号: TM2
• 字数: 4093字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2008.04.002

摘要

本文通过对Nd1.85Ce0.15CuO4±δ单晶ab面(ρab)和c方向电阻率(ρc)的测量,发现未经过氮气退火的样品的ρc与温度成线性依赖关系,但是同一个样品经过氮气退火后的ρc中不仅有一次方的温度依赖关系还有二次方的.这说明样品经过氮气退火后,电子与空穴两种载流子共同参与导电.样品在退火处理前的各向异性比(ρc-ρc0)/(ρab-ρab0)存在强的温度依赖关系,这是由于ρc与温度成线性依赖关系,然而ρab不仅有一次方的温度依赖关系还有二次方的.样品经过退火处理后的各向异性比存在弱的温度依赖赖关系,这是由于ρc与ρab中都同时有一次方和二次方的温度依赖关系.我们用电子和空穴沿c方向有不同的隧穿几率来解释ρc和(ρc-ρc0)/(ρab-ρab0).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈旭东	中国科学技术大学物理系	15	392	10.0	15.0
2	杨宏顺	中国科学技术大学物理系	14	9	1.0	2.0
3	刘剑	中国科学技术大学物理系	66	379	12.0	17.0
4	王建彬	中国科学技术大学结构分析开放实验室	2	1	1.0	1.0
8	孙成海	中国科学技术大学物理系	4	1	1.0	1.0
9	高慧贤	中国科学技术大学物理系	2	1	1.0	1.0
10	成路	中国科学技术大学物理系	4	1	1.0	1.0