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摘要:
提出了一种带时间延迟积分功能的高性能CMOS读出电路芯片适用的高效率电荷延迟线结构. 基于该结构,设计了一款288×4规格焦平面阵列组件适用的CMOS读出电路芯片,并已完成流片、测试.该芯片包括4个视频输出端,每个端口的像元输出频率为4~5MHz(如用于实现384×288规模的成像,帧频可达160Hz).测试结果表明这款芯片具有高动态范围(大于78dB)、高线性度(大于99.5%)、高均匀性(大于96.8%)等特征.
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文献信息
篇名 用于288×4读出电路中的高效率模拟电荷延迟线
来源期刊 北京大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 TDI 读出电路 模拟电荷延迟线
年,卷(期) 2008,(5) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 739-743
页数 5页 分类号 TN432
字数 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0479-8023.2008.05.012
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吉利久 北京大学信息学院微电子学系 47 298 11.0 15.0
2 鲁文高 北京大学信息学院微电子学系 17 80 5.0 8.0
3 陈中建 北京大学信息学院微电子学系 22 104 6.0 9.0
4 张雅聪 北京大学信息学院微电子学系 6 22 2.0 4.0
传播情况
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2002(1)
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研究主题发展历程
节点文献
TDI
读出电路
模拟电荷延迟线
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
北京大学学报(自然科学版)
双月刊
0479-8023
11-2442/N
16开
北京海淀北京大学校内
2-89
1955
chi
出版文献量(篇)
3152
总下载数(次)
8
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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