具备时间延迟积分的高性能线阵288×4 CMOS读出电路

• 作者: 刘菁 吉利久 唐矩 崔文涛 赵宝瑛 陈中建 高峻 鲁文高
• 来源期刊: 北京大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 时间延迟积分 读出电路
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 页码范围: 402-406
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 455字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0479-8023.2004.03.011

摘要

描述了一种高性能CMOS线阵288×4读出电路的设计.该读出电路是一个大规模混合信号电路,集成了时间延迟积分以提高信噪比,实现了缺陷像素剔除以提高阵列的可靠性.其他特征包括积分时间可调,多级增益,双向扫描,超采样,以及内建电测试.该芯片采用1.2μm双层多晶硅双层金属CMOS工艺.测量得到的总功耗约为24mW,工作电压5V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吉利久	北京大学微电子学研究院	47	298	11.0	15.0
2	鲁文高	北京大学微电子学研究院	17	80	5.0	8.0
3	陈中建	北京大学微电子学研究院	22	104	6.0	9.0
4	赵宝瑛	北京大学微电子学研究院	13	80	5.0	8.0
5	高峻	北京大学微电子学研究院	7	42	3.0	6.0
6	刘菁	北京大学微电子学研究院	3	34	2.0	3.0
7	唐矩	北京大学微电子学研究院	5	40	2.0	5.0
8	崔文涛	北京大学微电子学研究院	1	25	1.0	1.0