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立方晶相HfO2电子结构与光学性质的第一性原理计算
立方晶相HfO2电子结构与光学性质的第一性原理计算
作者:
冯丽萍
刘正堂
许冰
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
材料
c-HfO2
光学性质
电子结构
密度泛函理论
第一性原理
摘要:
利用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法计算了立方晶相二氧化铪(c-HfO2)的电子结构,得到了c-HfO2的总念密度、分波态密度和能带结构.经带隙校正后,计算了c-HfO2的光学线性响应函数随光子能最的变化关系,包括复介电函数,反射率、复折射率以及光学吸收系数,并从理论上给出了c-HfO2材料光学性 质与电子结构的关系.经比较发现,对c-HfO2的电子结构和光学性质的计算结果与已有的实验数据和其它理论研究吻合得较好,从而为c-HfO2光电材料的设计与应用提供了理论依据.同时,计算结果也表明采用密度泛函理论的广义梯度近似来计算和预测c-HfO2材料的电子结构和光学性质是比较可靠的.
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第一性原理
四角晶相HfO2(001)表面原子和电子结构研究
密度泛函理论
t-HfO2(001)
表面电子结构
W掺杂ZnO电子结构与光学性质第一性原理计算
ZnO
W掺杂
第一性原理
电子结构
光学性质
内容分析
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文献信息
篇名
立方晶相HfO2电子结构与光学性质的第一性原理计算
来源期刊
光学学报
学科
工学
关键词
材料
c-HfO2
光学性质
电子结构
密度泛函理论
第一性原理
年,卷(期)
2008,(11)
所属期刊栏目
材料
研究方向
页码范围
2191-2194
页数
4页
分类号
TN304.2
字数
2803字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-2239.2008.11.028
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
刘正堂
西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室
120
749
14.0
21.0
2
冯丽萍
西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室
45
159
7.0
9.0
3
许冰
西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室
10
52
5.0
7.0
传播情况
被引次数趋势
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引文网络
引文网络
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材料
c-HfO2
光学性质
电子结构
密度泛函理论
第一性原理
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光学学报
主办单位:
中国光学学会
中国科学院上海光学精密机械研究所
出版周期:
半月刊
ISSN:
0253-2239
CN:
31-1252/O4
开本:
大16开
出版地:
上海市嘉定区清河路390号(上海800-211信箱)
邮发代号:
4-293
创刊时间:
1981
语种:
chi
出版文献量(篇)
11761
总下载数(次)
35
总被引数(次)
130170
期刊文献
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