提高离子束刻蚀亚微米光栅侧壁陡直度的方法

• 作者: 孟祥峰 李立峰
• 来源期刊: 光学学报
• 关键词: 物理光学 衍射光栅 亚微米光栅 反应离子束刻蚀 侧壁陡直度
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 物理光学
• 页码范围: 189-193
• 页数: 5页
• 字数: 3761字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-2239.2008.01.036

摘要

现代亚微米光栅的应用通常要求栅脊侧壁陡直.通过比较两种配备不同离子源的刻蚀机的反应离子束刻蚀结果,认为影响亚微米光栅侧壁陡直度的一个重要因素是离子束发散角(束散角),且小束散角有利于获得陡直的光栅侧壁.国内应用最广泛的双栅考夫曼刻蚀机束散角较大(大于13°),致使用常规方法获得的熔石英光栅的侧壁倾角仅为77°.针对此刻蚀机,尝试了三种提高侧壁陡直度的方法:旋转倾斜刻蚀法、交替倾斜刻蚀法和二次金属掩模法,分别把侧壁倾角提高到86°、86°和82°.最后从掩模侧壁收缩速率和槽底部与顶部离子通量的差异对束散角对侧壁陡直度的影响给予解释,并说明了上述三种方法的工作机理.