HSQ用于电子束曝光的性能分析

• 作者: 刘明 朱效立 谢常青 赵珉 陈宝钦
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: HSQ(hydrogen lsesquioxane) 电子束曝光技术 抗蚀剂工艺 邻近效应
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 电子束技术
• 页码范围: 10-13
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2970字
• 语种: 中文

摘要

作为一种非化学放大的无机负性电子束光刺抗蚀剂,HSQ(hydrogen silsesquioxane)具有极高的分辨率(约5 nm),由于灵敏度较低,限制了其在微纳米加工方面的应用.从化学结构变化的角度分析了HSQ在电子束曝光中的性能,通过实验验证了其灵敏度及对比度受前烘温度及显影液浓度的影响较大,并且其在电子束曝光中的邻近效应也可以通过改变这两个条件而得到一定的抑制.根据所得优化工艺条件,在450 nm胶层上,制作出100 nm等间距光栅结构胶层图形,且其侧壁陡直性良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	207	1983	20.0	38.0
2	陈宝钦	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	50	361	11.0	16.0
3	谢常青	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	50	258	9.0	12.0
4	朱效立	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	19	86	6.0	8.0
5	赵珉	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	3	11	2.0	3.0