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摘要:
用光吸收谱法对3种常见的碳化硅单晶多型结构进行鉴别,结果显示,4H-、6H-及15R-碳化硅多型体结构的光吸收谱的吸收边位置有明显差别,计算表明,这对应于其自身的带隙宽度.同时从吸收谱上还可以看到非故意掺杂引入的载流子引起吸收边的偏移.分析了不同掺杂类型对吸收边的影响.
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文献信息
篇名 光吸收谱法鉴别碳化硅晶体的多型体结构
来源期刊 淮阴师范学院学报(自然科学版) 学科 化学
关键词 光吸收谱 碳化硅单晶 多型体鉴别 掺杂 载流子
年,卷(期) 2008,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 220-223
页数 4页 分类号 O657.37
字数 2455字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1671-6876.2008.03.012
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈静 淮阴师范学院物理系 14 33 3.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
光吸收谱
碳化硅单晶
多型体鉴别
掺杂
载流子
研究起点
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
淮阴师范学院学报(自然科学版)
季刊
1671-6876
32-1657/N
大16开
江苏省淮安市交通路71号
2002
chi
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1834
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