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摘要:
利用射频磁控溅射法在硅衬底上生长c轴取向LiNbO3薄膜.研究了生成高质量薄膜的实验条件和快速退火处理对薄膜结晶质量的影响.发现以600℃衬底温度制备薄膜并以650℃进行快速退火时获得了具有优异结晶质量的LiNbO3薄膜.采用扫描电镜分别对薄膜的表面、截面进行了分析.结果表明,薄膜表面光滑,晶粒均匀致密.
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文献信息
篇名 硅基LiNbO3薄膜的工艺研究及其性能分析
来源期刊 电子科技 学科 工学
关键词 光波导 LiNbO3薄膜 射频磁控溅射法 硅衬底
年,卷(期) 2008,(10) 所属期刊栏目 电子·电路
研究方向 页码范围 5-7,10
页数 4页 分类号 TN304
字数 2882字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-7820.2008.10.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 戴基智 电子科技大学光电信息学院 53 304 10.0 14.0
2 余凌 电子科技大学光电信息学院 1 1 1.0 1.0
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2008(1)
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研究主题发展历程
节点文献
光波导
LiNbO3薄膜
射频磁控溅射法
硅衬底
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子科技
月刊
1007-7820
61-1291/TN
大16开
西安电子科技大学
1987
chi
出版文献量(篇)
9344
总下载数(次)
32
总被引数(次)
31437
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