宽输入快速启动的高精度电压基准电路设计

• 作者: 代国定 来新泉 王松林 王辉 郭宝龙
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: bipolar CMOS DMOS(BCD) 电压基准 快速启动
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 页码范围: 272-276
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2643字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2008.02.017

摘要

采用BCD(bipolar CMOS DMOS)工艺,设计了一款不需调节且可快速启动的高精度电压基准电路.利用齐纳二极管的稳压特性,构成TTLBUFFER缓冲电路,使基准电路的输入电压变化范围在1V左右,从而提高电压基准精度.运用MOS器件的自偏特性,迅速给电压基准提供一个偏置,完成了整个电路的快速启动.该电路与基准电路结合后,当输入电压在6.3～14V的范围内时,其基准电压摆动小于2mV;启动时间为20μs左右.与同类电路相比,该电压基准输出摆动缩小了60%,启动时间缩短了40%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭宝龙	西安电子科技大学机电工程学院	233	4214	37.0	54.0
2	王松林	西安电子科技大学机电工程学院	28	258	10.0	16.0
3	王辉	西安电子科技大学机电工程学院	19	121	6.0	10.0
4	来新泉	西安电子科技大学电子工程学院	29	246	9.0	15.0
5	代国定	西安电子科技大学电子工程学院	12	130	5.0	11.0