量子电子器件及其应用

• 作者: 王虹麟 罗浩平
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 量子效应 量子器件 制造方法 应用
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 产品、应用与市场
• 页码范围: 31-35
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.94.
• 字数: 6239字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2008.12.009

摘要

随着半导体芯片的特征尺寸从微米量级向纳米量级挺进,半导体的量子效应现象显现.文章阐述了半导体器件中的量子尺寸效应、隧道效应、干涉效应等量子效应的种类以及利用这些量子效应制作的量子点器件、谐振隧穿器件和单电子器件三大种类量子电子器件.介绍了各类量子电子器件的原理以及它们具有超高速、超高频,高集成度、低功耗和高特征温度等优越特性,并着重介绍了各类量子电子器件的制造方法.在此基础上,指出了量子电子器件的应用及发展前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗浩平	中国电子科技集团公司第五十八研究所	5	30	3.0	5.0
2	王虹麟	中国电子科技集团公司第五十八研究所	1	2	1.0	1.0