256元InGaAs线列红外焦平面及扫描成像

• 作者: 吕衍秋 唐恒敬 孔令才 张永刚 徐萌 李雪 白云 韩冰 龚海梅
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 探测器 焦平面 InGaAs 钝化 扫描成像
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 页码范围: 7-11
• 页数: 5页
• 分类号: TN21
• 字数: 3538字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2008.01.002

摘要

报道了用分子束外延(MBE)方法生长掺杂InGaAs的PIN InP/InGaAs/InP外延材料,通过台面制作、硫化处理、ZnS/聚酰亚胺双层钝化、电极生长等工艺,制备了256元正照射台面InGaAs线列探测器,278K时平均峰值探测率为1.33×1012 cmHz1/2W-1.测试了不同钝化方式探测器典型Ⅰ-Ⅴ曲线和探测率,硫化可以减小探测器暗电流,ZnS/聚酰亚胺双层钝化效果最好.并对ZnS/聚酰亚胺双层钝化InGaAs探测器进行了电子辐照研究.256元InGaAs探测器阵列与两个CTIA结构128读出电路互连并封装,在室温时,焦平面响应率不均匀性为19.3%.成功实现了室温扫描成像,图像比较清晰.