128×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究

• 作者: 亢勇 吕衍秋 吴小利 孔令才 庄春泉 张永刚 徐运华 韩冰 龚海梅
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 探测器 焦平面 InGaAs 钝化
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 333-337
• 页数: 5页
• 分类号: TN21
• 字数: 3195字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2006.05.004

摘要

报道了用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP 双异质结外延材料,通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合制作台面、硫化和聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺,制备了128×1台面正照射InGaAs探测器阵列.测试了器件的变温I-V、响应光谱和探测率,在278K时平均峰值探测率为1.03×1012 cmHz1/2W-1.实现了128元InGaAs探测器阵列与CTIA结构L128读出电路相互连,经封装后,在室温(291K)时成功测出128元响应信号.焦平面响应的不均匀性为18.3%,并对不均匀性产生的原因进行了分析.