电场诱导空穴注入缓冲层PEDOT:PSS取向对OLED发光性能的影响

• 作者: 侯延冰 师全民 王琰 秦丽芳 蒋婧思 高瑞
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分子取向 电致发光 空穴注入
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 第八届全国发光学学术会议研究论文
• 页码范围: 41-45
• 页数: 5页
• 分类号: TN383.1|TN873.3
• 字数: 1825字
• 语种: 中文

摘要

实验中以PEDOT:PSS在ITO基片上旋涂作为空穴传输层,并且在旋涂PEDOT:PSS的过程中在与ITO玻璃平面垂直的方向施加一个诱导聚合物取向的高压电场,试验着重研究了所加电场强度对双层器件:ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Al器件性能的影响.测试结果表明,旋涂时所加电场的大小对器件的发光强度和起亮电压都有明显的影响.随着所加电场的增大,器件发光强度明显增加,起亮电压减小.由此表明:在高电场作用下,聚合物分子链沿电场方向发生了取向,而且随着电场增强这种取向作用会表现得越明显,并且在PEDOT:PSS膜表层会形成一个梯度变化的PSS聚集,使得从ITO到MEH-PPV的功函数逐渐上升,降低空穴注入势垒,增强了空穴的注入效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高瑞	北京交通大学光电子技术研究所	2	22	2.0	2.0
2	侯延冰	北京交通大学光电子技术研究所	34	170	9.0	11.0
3	王琰	北京交通大学光电子技术研究所	5	46	3.0	5.0
4	蒋婧思	北京交通大学光电子技术研究所	2	17	2.0	2.0
5	秦丽芳	北京交通大学光电子技术研究所	1	14	1.0	1.0
6	师全民	北京交通大学光电子技术研究所	3	14	1.0	3.0