甚高频对微晶硅薄膜微观结构的影响

• 作者: 卢景霄 张磊 文书堂 李瑞 郭学军
• 来源期刊: 郑州大学学报（理学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 甚高频化学汽相沉积 高速生长 微晶硅薄膜 太阳能电池
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 页码范围: 78-82
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 437字
• 语种: 中文

摘要

系统研究了射频和甚高频下沉积微晶硅薄膜时沉积参数对薄膜质量的影响,并优化了沉积参数.在相同的沉积条件下,甚高频沉积速度明显大于射频沉积速度,并且制备出的太阳能电池效率同样高于射频沉积.一般情况下,当沉积速率提高时,沉积薄膜中存在大量悬挂键和Si-2H键等缺陷,会大大降低材料的光电性能,同样也会降低太阳能电池的效率.在保证材料的光电性能的前提下提高沉积速度,沉积参数需要优化.在系列优化沉积参数后,微晶硅沉积速率达到0.75 nm/s,在该沉积速率下,制备出的单结n-i-p结构的太阳能电池效率达到5.41%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张磊	郑州大学教育部材料物理重点实验室	105	388	10.0	16.0
2	卢景霄	郑州大学教育部材料物理重点实验室	100	570	12.0	17.0
3	李瑞	郑州大学教育部材料物理重点实验室	35	173	8.0	11.0
4	郭学军	郑州大学教育部材料物理重点实验室	9	41	5.0	6.0
5	文书堂	郑州大学教育部材料物理重点实验室	8	21	3.0	4.0