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摘要:
传统半导体清洗技术无法对硅片上的微小器件间的缝隙和线条进行有效清洗,以超临界二氧化碳为媒体的清洗技术则可克服上述缺点.超临界二氧化碳具有零表面张力、低黏度、强扩散能力和溶解能力等特性,并且无毒无臭、可以循环使用,在下一代半导体清洗和清洗后的干燥过程中有极强的应用前景.提出了一种绿色二氧化碳超流体半导体清洗设备,它可实现超流体清洗和超临界干燥,二氧化碳循环使用,属于新型高效的下一代绿色半导体清洗设备.
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文献信息
篇名 绿色二氧化碳超流体半导体清洗设备
来源期刊 电子工业专用设备 学科 工学
关键词 表面张力 超临界二氧化碳 清洗和干燥 牺牲层释放
年,卷(期) 2008,(5) 所属期刊栏目 MEMS制造技术
研究方向 页码范围 14-17,34
页数 5页 分类号 TN305.97
字数 3481字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-4507.2008.05.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 景玉鹏 中国科学院微电子研究所硅器件与集成技术研究室 10 115 7.0 10.0
2 高超群 中国科学院微电子研究所硅器件与集成技术研究室 6 54 4.0 6.0
3 李全宝 中国科学院微电子研究所硅器件与集成技术研究室 4 30 3.0 4.0
7 刘茂哲 中国科学院微电子研究所硅器件与集成技术研究室 4 30 3.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
表面张力
超临界二氧化碳
清洗和干燥
牺牲层释放
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子工业专用设备
双月刊
1004-4507
62-1077/TN
大16开
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
1971
chi
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