第一性原理设计非临界位相匹配二次谐波材料CdSi1-xGexAs2

• 作者: Walter R.L.Lambrecht 姜晓庶 米庶
• 来源期刊: 山西大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 非临界位相匹配 二次谐波 密度泛函理论
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 539-542
• 页数: 4页
• 分类号: O471.5
• 字数: 2276字
• 语种: 中文

摘要

通过第一性原理研究了基于II-IV-V2族CKP半导体中CdSiAs2的非临界位相匹配二次谐波材料.根据量化双折射性同应力的线性关系,它的负双折射性使之能够通过应力、温度调节以及同CdGeAs2混合来设计非临界位相匹配材料.计算显示,少量的掺杂Ge(<5%),CdSi1-xGexAs2能够实现非临界位相匹配I类二次谐波产生(SHG)在CO2激光谱线范围可调谐,它可能具有很高的有效χ(2).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姜晓庶	山西大学物理电子工程学院	1	0	0.0	0.0
2	米庶	山西大学物理电子工程学院	1	0	0.0	0.0