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多频激励下超晶格系统的全局分叉性质
多频激励下超晶格系统的全局分叉性质
作者:
罗晓华
邵明珠
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
超晶格
沟道效应
多频激励
分叉
混沌
摘要:
引入正弦平方势,在小振幅近似下,把粒子运动方程化为具有多频激励的Duffing方程.并用Melnikov方法分析了系统的全局分叉与混沌行为.结果表明,当外场为双频激励时,系统将存在不同的次谐和超次谐分叉序列.由于系统的混沌行为与系统参数有关,只需控制材料组分或掺杂浓度,就可望达到避免或控制混沌的目的,为半导体超晶格的制备及其光磁电效应的物理学描述提供了理论分析.
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文献信息
篇名
多频激励下超晶格系统的全局分叉性质
来源期刊
半导体光电
学科
物理学
关键词
超晶格
沟道效应
多频激励
分叉
混沌
年,卷(期)
2008,(1)
所属期刊栏目
材料、结构及工艺
研究方向
页码范围
73-75
页数
3页
分类号
O471.5
字数
2057字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
邵明珠
109
465
12.0
16.0
2
罗晓华
重庆大学电气工程学院
16
61
4.0
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节点文献
超晶格
沟道效应
多频激励
分叉
混沌
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
主办单位:
重庆光电技术研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1001-5868
CN:
50-1092/TN
开本:
大16开
出版地:
重庆市南坪花园路14号44所内
邮发代号:
创刊时间:
1976
语种:
chi
出版文献量(篇)
4307
总下载数(次)
22
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