高电荷态离子与SiO2表面相互作用的研究

• 作者: 彭海波 房燕 杨秀玉 王释伟 王铁山 程锐 羊佳 赵永涛 韩运成
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 高电荷态离子 溅射 碰撞 势能溅射
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 773-776
• 页数: 4页
• 分类号: O561.5
• 字数: 2006字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2008.04.006

摘要

高电荷态离子(Pbq+,Arq+)由兰州近代物理研究所的ECR实验平台所产生,轰击非晶态SiO2表面.用微通道板测量溅射粒子产额的角分布.用公式拟合实验溅射角分布得到了较好的结果,并给出了初步的理论解释.由此得出了高电荷态离子与SiO2表面作用的微分溅射截面.实验结果表明高电荷态离子能够增加动能溅射;同时高电荷态离子入射能够引起势能溅射.在大角度入射时,溅射产额主要是由碰撞引起的;在小角入射时势能溅射所占比重会增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王铁山		22	58	4.0	6.0
2	彭海波		10	18	2.0	3.0
3	王释伟		2	3	1.0	1.0
4	杨秀玉		1	1	1.0	1.0
5	程锐		2	3	1.0	1.0
6	羊佳		1	1	1.0	1.0
7	韩运成		2	3	1.0	1.0
8	赵永涛		1	1	1.0	1.0
9	房燕		1	1	1.0	1.0