高电荷态离子与Si(110)晶面碰撞的沟道效应研究

• 作者: 丁大杰 彭海波 徐鹤 王瑜玉 王铁山 程锐 赵永涛 韩运成
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 高电荷态离子 溅射 沟道效应
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 2161-2164
• 页数: 4页
• 分类号: O56
• 字数: 1841字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.04.027

摘要

不同电荷态低速离子(Arq+,Pbq+)轰击Si(110)晶面,测量不同入射角情况下的次级粒子的产额.通过比较溅射产额与入射角的关系,证实沟道效应的存在.高电荷态离子与Si相互作用产生的沟道效应说明溅射产额主要是由动能碰撞引起的.在小角入射条件下,高电荷态离子能够增大溅射产额.当高电荷态离子以40°-50°入射时,存在势能越高溅射产额越大的势能效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵永涛	中国科学院近代物理研究所	42	156	6.0	10.0
2	王铁山	兰州大学核科学与技术学院	22	58	4.0	6.0
3	彭海波	兰州大学核科学与技术学院	10	18	2.0	3.0
4	王瑜玉	中国科学院近代物理研究所	5	7	2.0	2.0
5	程锐	兰州大学核科学与技术学院	2	3	1.0	1.0
6	韩运成	兰州大学核科学与技术学院	2	3	1.0	1.0
7	丁大杰	兰州大学核科学与技术学院	1	2	1.0	1.0
8	徐鹤	兰州大学核科学与技术学院	1	2	1.0	1.0