透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术研究AlN单晶生长习性

• 作者: 徐现刚 李娟 王翎 胡小波 高玉强
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 透射电子显微术 高分辨x射线衍射仪 AIN单晶
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 页码范围: 1117-1120
• 页数: 4页
• 分类号: O782
• 字数: 2055字
• 语种: 中文

摘要

采用透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术对氮化硼坩埚中自发成核的AIN单晶生长习性进行了研究.结果表明,在低温下,AIN单晶显露面为(0001)面,随着温度的升高,AIN单晶显露面转化为(1120)面.沟槽结构是高温下得到的AIN单晶共有的显著特征,其取向沿[0001]方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李娟	山东大学晶体材料国家重点实验室	127	921	17.0	26.0
2	胡小波	山东大学晶体材料国家重点实验室	67	321	9.0	14.0
3	徐现刚	山东大学晶体材料国家重点实验室	77	407	10.0	16.0
4	高玉强	山东大学晶体材料国家重点实验室	4	15	3.0	3.0
5	王翎	山东大学晶体材料国家重点实验室	5	9	2.0	3.0