V5+取代对Mg4(SbNb1-xVx)O9陶瓷介电性能的影响

• 作者: 刘鹏 姚国光
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微波介质陶瓷 Mg4(SbNb1-xVx)O9 介电性能
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 877-880
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174
• 字数: 2019字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2008.05.003

摘要

研究了不同V5+含量Mg4(SbNb1-xVx)O9[MSNV,0.05≤x≤0.3]系陶瓷的烧结特性、微观结构和微波介电性能.结果表明:一定量V5+取代能够明显降低该陶瓷的烧结温度.在所有组成范围内,XRD显示了单一刚玉型结构.随V5+针含量的增加,样品的介电常数ε和品质因数Q·f先增大后减小,样品的谐振频率温度系数Tf逐渐减小,这是由于V5+的取代使得B位键价增强所致.在x=0.15,1250℃烧结,可获得εr=9.98,Q·f=20248GHz(8GHz),Tf=-23.3x10-6.K-1的新型微波介质陶瓷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚国光	西安邮电学院应用数理系	25	92	6.0	8.0
2	刘鹏	陕西师范大学物理与信息技术学院	110	534	13.0	17.0