粉体合成方法对CaCu3Ti4O12陶瓷介电性能的影响

• 作者: 侯林林 李建英 李盛涛 武康宁 贾然 高璐
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: CaCu3Ti4O12陶瓷 粉体合成 介电性能 晶界电阻 缺陷结构
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 页码范围: 117-123
• 页数: 7页
• 分类号: TM281
• 语种: 中文
• DOI: 10.7652/xjtuxb201604018

摘要

为了深入研究粉体合成方法对CaCu3 Ti4O12 (CCTO)陶瓷介电松弛机理以及缺陷结构的影响,对比了固相反应法和溶胶凝胶法合成CCTO陶瓷的介电性能,并且在此基础上引入了CCTO陶瓷的缺陷结构分析.采用固相反应法和溶胶凝胶法合成了CCTO粉体,在1 080℃下烧结4h制备了CCTO陶瓷样品.溶胶凝胶法合成陶瓷的平均晶粒尺寸是固相法合成陶瓷试样的5倍.J-E特性和介电性能分析表明,溶胶凝胶法合成陶瓷的击穿场强(170 V/cm)远小于固相法合成陶瓷(4980 V/cm),且前者的介电损耗和介电常数均达到后者的20倍左右.结合介电损耗因子的曲线拟合结果和阻抗谱分析得到,溶胶凝胶法合成陶瓷的晶界电阻为0.272 MΩ,是固相法(1.03MΩ)的1/3,松弛峰强度是固相法的15倍;两种陶瓷样品的本征松弛峰活化能和晶粒活化能均接近,说明粉体合成方法能够影响CCTO陶瓷的晶界电阻和松弛峰强度,进而影响其宏观电性能,但是对陶瓷的本征松弛机理没有影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李盛涛	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	98	927	20.0	26.0
2	李建英	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	80	757	17.0	24.0
3	武康宁	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	4	6	2.0	2.0
4	贾然	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	5	20	3.0	4.0
5	高璐	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	8	6	2.0	2.0
6	侯林林	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	4	5	1.0	2.0