CaCu3Ti4O12陶瓷的介电特性与弛豫机理

• 作者: 成鹏飞 李盛涛 王辉
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: CaCu3Ti4O12 介电弛豫 Schottky势垒 点缺陷
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 页码范围: 426-430
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.057701

摘要

本文采用Novocontrol宽频介电谱仪在?100?C—100?C温度范围内、0.1 Hz—10 MHz频率范围内测量了表面层打磨前后CaCu3Ti4O12陶瓷的介电特性,分析了CaCu3Ti4O12陶瓷的介电弛豫机理.首先,基于对宏观“壳-心”结构的定量分析,排除了巨介电常数起源于表面层效应的可能性;其次,基于经典Maxwell-Wagner夹层极化及其活化能物理本质的分析,排除了巨介电常数起源于经典Maxwell-Wagner极化的可能性;最后,依据晶界Schottky势垒与本征点缺陷的本质联系,提出了巨介电常数起源于Schottky势垒边界陷阱电子弛豫的新机理.陷阱电子弛豫机理反映了CaCu3Ti4O12陶瓷本征点缺陷、电导、介电常数之间的本质关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王辉	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	93	983	16.0	27.0
2	李盛涛	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	98	927	20.0	26.0
3	成鹏飞	西安工程大学理学院	31	172	8.0	12.0