添加V_2O_5对Mg_4Nb_2O_9微波介质陶瓷性能的影响

• 作者: 刘敏 周洪庆 权微娟
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 微波介质陶瓷 Mg_4Nb_2O_9 V_2O_5 介电性能
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 4-7
• 页数: 4页
• 分类号: TB321
• 字数: 3543字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.03.002

摘要

采用固相反应法制备了Mg_4Nb_2O_9微波介质陶瓷,研究了添加V_2O_5对其烧结温度、微观结构和介电性能的影响.结果表明:当添加0.5%(质量分数)的V_2O_5时,Mg_4Nb_2O_9陶瓷的烧结温度从1 350 ℃降低到1 150 ℃,烧结温度范围拓宽为1 150~1 300 ℃;在1 150 ℃烧结5 h后,其介电性能达到最佳:ε_r = 11.86,Q·f = 99 828 GHz (11.2 GHz),τ_f = -57×10~(-6)/℃(10～90 ℃,1 MHz).当w(V_2O_5)增大到1.5%时,Mg_4Nb_2O_9陶瓷的介电性能变差.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘敏	南京工业大学材料科学与工程学院	59	493	13.0	18.0
2	周洪庆	南京工业大学材料科学与工程学院	94	730	13.0	19.0
3	权微娟	南京工业大学材料科学与工程学院	2	2	1.0	1.0