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摘要:
采用固相反应法制备了Mg_4Nb_2O_9微波介质陶瓷,研究了添加V_2O_5对其烧结温度、微观结构和介电性能的影响.结果表明:当添加0.5%(质量分数)的V_2O_5时,Mg_4Nb_2O_9陶瓷的烧结温度从1 350 ℃降低到1 150 ℃,烧结温度范围拓宽为1 150~1 300 ℃;在1 150 ℃烧结5 h后,其介电性能达到最佳:ε_r = 11.86,Q·f = 99 828 GHz (11.2 GHz),τ_f = -57×10~(-6)/℃(10~90 ℃,1 MHz).当w(V_2O_5)增大到1.5%时,Mg_4Nb_2O_9陶瓷的介电性能变差.
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文献信息
篇名 添加V_2O_5对Mg_4Nb_2O_9微波介质陶瓷性能的影响
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 微波介质陶瓷 Mg_4Nb_2O_9 V_2O_5 介电性能
年,卷(期) 2010,(3) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 4-7
页数 4页 分类号 TB321
字数 3543字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.03.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘敏 南京工业大学材料科学与工程学院 59 493 13.0 18.0
2 周洪庆 南京工业大学材料科学与工程学院 94 730 13.0 19.0
3 权微娟 南京工业大学材料科学与工程学院 2 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
微波介质陶瓷
Mg_4Nb_2O_9
V_2O_5
介电性能
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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31758
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