掺杂对铌酸锂晶体非挥发全息存储性能的影响

• 作者: 付博 刘祥明 孔勇发 张国权 徐庆君 申岩 许京军 陈绍林
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 掺杂 铌酸锂晶体 非挥发 全息存储
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 唯象论的经典领域
• 页码范围: 2946-2951
• 页数: 6页
• 分类号: O56
• 字数: 3670字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.052

摘要

通过研究掺镁、掺锌和掺铟同成分铌酸锂晶体的紫外一红光双色全息存储性能,发现双色记录响应时间均比单色记录时明显缩短,最多的可减小3个数量级;双色记录灵敏度大幅度提高,在掺镁5mol.%的晶体中可达到1.1cm/J.在掺杂浓度超过抗光损伤阈值的铌酸锂晶体中,均可实现非挥发全息存储.但是,在掺镁、锌样品中,深、浅能级中心上的光栅反相,而在掺铟样品中则表现为同相.这是由于掺杂离子的种类不同,在铌酸锂晶体中形成的缺陷中心也不同所引起的.