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硅锗:快、安静且强大
硅锗:快、安静且强大
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摘要：
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高硅含锗物料中锗的提取工艺探讨
酸浸
氢氟酸
锗
回收
硅基锗硅驰豫衬底的外延生长
硅基锗硅薄膜
驰豫衬底
外延生长
锗硅外延工艺优化对28nm PMOS器件性能的改善
锗硅外延
薄膜堆叠层
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PMOS器件
介观压阻型硅锗加速度计研究
介观压阻效应
加速度计
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期刊影响力
电子设计技术
主办单位：
中国电子报社
出版周期：
月刊
ISSN：
1023-7364
CN：
11-3617/TN
开本：
16开
出版地：
北京市
邮发代号：
创刊时间：
1994
语种：
chi
出版文献量（篇）
5532
总下载数（次）
6
总被引数（次）
1789
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