X射线不同方向入射界面产生剂量增强的模拟研究

• 作者: 徐曦 牟维兵
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: X射线 金/硅界面 剂量增强
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 页码范围: 302-304
• 页数: 3页
• 分类号: O571.4|TN47
• 字数: 1816字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2008.02.022

摘要

为了研究X射线入射方向对界面剂量增强的影响,通过建立一个典型的金/硅界面结构模型,采用MCNP蒙卡计算程序计算50keV能量X射线以不同的方向入射界面时在规定的区域内产生的能量沉积,进而得到剂量增强系数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐曦	中国工程物理研究院电子工程研究所	19	91	6.0	8.0
2	牟维兵	中国工程物理研究院电子工程研究所	15	51	4.0	6.0