多双曲正切法则在高线性度CMOS混频器设计中的分析与应用

• 作者: 张润曦 张炜杰 景一欧 李勇 沈怿皓 赖宗声 陈亦灏
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS射频集成电路 双曲正切法则 线性度 混频器
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 各种电路设计、分析及应用
• 页码范围: 1150-1154
• 页数: 5页
• 分类号: TN492
• 字数: 2516字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.04.021

摘要

研究了CMOS电路中多双曲正切法则的应用对线性度产生的影响.分析并推导了两种非平衡差分对结构的差分输出电流和等效跨导的公式.给出了电路线性度最优时,多补偿偏置结构的补偿偏置电压VK的表达式.基于理论分析结果,设计了一个应用多双曲正切法则的CMOS吉尔伯特混频器电路.流片采用UMC 0.18 μm RF-CMOS工艺,经过测量,所得到的参数与理论分析及仿真值吻合,证明了理论分析的可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赖宗声	华东师范大学微电子电路与系统研究所	136	779	13.0	18.0
2	张润曦	华东师范大学微电子电路与系统研究所	53	147	7.0	8.0
3	沈怿皓	华东师范大学微电子电路与系统研究所	5	28	3.0	5.0
4	李勇	华东师范大学微电子电路与系统研究所	19	90	5.0	9.0
5	景一欧	华东师范大学微电子电路与系统研究所	3	12	2.0	3.0
6	张炜杰	华东师范大学微电子电路与系统研究所	2	9	2.0	2.0
7	陈亦灏	华东师范大学微电子电路与系统研究所	6	25	4.0	4.0