用真空蒸镀法制备Al背场的研究

• 作者: 乔琦 季静佳 张光春 施正荣 李果华
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 真空蒸镀 Al背场 SEM 开路电压
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 理论与实践
• 页码范围: 555-559
• 页数: 5页
• 分类号: TK511+.5
• 字数: 4304字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.2008.05.010

摘要

采用真空蒸镀法在经过制绒、清洗、扩散和PECVD镀氮化硅(SiNx)处理的单晶硅片上蒸镀Al膜并在不同温度下烧结形成背场.用扫描电子显微镜(SEM)对Al背电场进行表征,测量开路电压并探讨工艺条件对Al背电场微结构及开路电压的影响.实验结果表明,在真空度为5.0×10-3Pa,阻蒸电流为250A的条件下,所镀膜层最厚、致密均匀、结合力好,且Al背场的开路电压随膜厚和烧结温度的增加而增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施正荣		23	120	6.0	10.0
3	李果华		30	122	6.0	10.0
5	张光春		4	17	2.0	4.0
7	乔琦	江南大学微电子系	3	22	3.0	3.0
8	季静佳		4	59	3.0	4.0