一维0.18 μm CMOS光电二极管量子效率的研究与模拟

• 作者: 汪立 颜永红
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 光电二极管 光栅二极管 量子效率 数值模拟
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 光电子器件及显示技术
• 页码范围: 1073-1076
• 页数: 4页
• 分类号: TN43
• 字数: 2622字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.04.001

摘要

为了建立更精确的CMOS光电二极管SPICE模型,使之在像素电路模拟中能够更好地反映实际的光电转换物理现象.使用连续性方程和不同的边界条件对CMOS光电二极管建立了一维物理模型,然后代入普通 CMOS 0.18工艺参数在温度为300 K、反偏电压为2.2 V时,对N-diff/P-epi, N-well/P-epi两种结构的二极管量子效率进行了模拟.其中考虑了表面复合速率、外延层厚度、P+衬底与P外延同质结等因素对模拟结果的影响.在此基础上,还对CMOS光栅二极管的量子效率进行了计算. 模拟结果符合这些器件已知的特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	颜永红	湖南大学物理与微电子科学学院	45	423	10.0	20.0
2	汪立	湖南大学物理与微电子科学学院	1	0	0.0	0.0