单场限环结构的表面电场分布及环间距的优化

• 作者: 王中文 石广源 高嵩
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 场限环 表面电场 击穿电压 环间距
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 页码范围: 114-118
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

基于横向扩散与纵向扩散构成的冶金结边界为椭圆形这一特点,讨论单场限环结构表面电场强度的分布,给出表面电场强度、主结及环结分担电压的解析表达式.在纵向结深和掺杂浓度一定的条件下,根据临界电场击穿理论,讨论环间距的优化设计方法.单场限环结构主结环结间表面电场强度的绝对值曲线近似呈抛物线,最大电场位于主结处.随着环间距的增大,最大电场变大;随着横向扩散深度的增大,最大电场变小.环右侧最大电场也出 现在结处,随着环间距和横向扩散深度的增加,最大电场均减小.在场限环结构中,当主结和环结在表面处的最大电场强度均等于临界电场强度时,击穿电压达到最大值,此时所对应的环间距为最佳环间距.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石广源	辽宁大学物理学院	39	119	6.0	8.0
2	王中文	辽宁大学物理学院	18	108	6.0	9.0
3	高嵩	辽宁大学物理学院	16	117	6.0	10.0