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摘要:
设计了一种基于0.18μm CMOS工艺模型的超高频宽调节范围的压控振荡器.系统采用3级环形压控振荡器结构,每级采用调节尾电流的方式,实现了2.5 GHz至5 GHz以上的高频宽调节范围.系统在输出频率为5 GHz时,在5 MHz频偏处的相位噪声为-89.26 dBc/Hz.此次设计的压控振荡器可广泛应用于各种嵌入式系统或ADC中,为其提供在大范围内可调节的时钟.
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文献信息
篇名 高频宽调节范围压控振荡器设计研究
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 压控振荡器 环形振荡器 宽调频范围 高工作频率 CMOS
年,卷(期) 2008,(2) 所属期刊栏目 电路
研究方向 页码范围 604-606,611
页数 4页 分类号 TN432|TN752
字数 1971字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.02.055
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 孟桥 东南大学射频与光电集成电路研究所 56 291 8.0 14.0
2 吴婕 东南大学射频与光电集成电路研究所 2 10 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
压控振荡器
环形振荡器
宽调频范围
高工作频率
CMOS
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
总被引数(次)
27643
论文1v1指导