TEM样品制备中离子束对样品的损伤分析

• 作者: 褚维群 郭炜
• 来源期刊: 计算机技术与发展
• 学科: 工学
• 关键词: TEM样品制备 非晶化 聚焦离子柬
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 应用开发研究
• 页码范围: 223-225,229
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.98+5
• 字数: 2847字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-629X.2008.02.063

摘要

针对TEM样品制备过程中离子束对样品的损伤所产生的"非晶化"影响进行分析和研究.在总结已有成果的基础上,得到一些新的突破:通过可信、简便的制样方法,可以直接观察到"非晶层";可以量测聚焦离子束制备的可供TEM分析的lC硅衬底样品的极限厚度.通过一系列自主设计的实验,得到如下结果:离子束的能量对"非晶层"厚度的影像非常大;"非晶层"的厚度与切割时离子束的加速电压有关,与离子束电流及入射角度等基本无关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭炜	上海交通大学微电子学院	41	235	10.0	13.0
2	褚维群	上海交通大学微电子学院	1	5	1.0	1.0