Cd掺杂纤锌矿ZnO电子结构的第一性原理研究

• 作者: 吕海峰 唐鑫 张庆瑜 赵纪军 马春雨
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 密度泛函理论 电子结构 Cd掺杂ZnO
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1066-1072
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 4809字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.02.070

摘要

采用密度泛函理论结合投影缀加波方法,对掺杂Cd导致ZnO禁带宽度下降的机理进行了研究. 通过对掺杂前后电子能带结构,态密度以及分态密度的计算和比较,发现CdxZn1-xO价带顶端(VBM)始终由O-2p占据;而导带顶端(CBM)则由Cd-5s与Zn-4s杂化轨道控制. 随着掺杂浓度的增加,决定带隙宽度的CBM的位置下降,同时VBM的位置上升,从而导致了带隙的变窄,出现了红移现象. 此外,Cd掺杂会使晶胞发生膨胀,这种张应变也是导致CdxZn1-xO禁带宽度变小的原因之一.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵纪军	大连理工大学高科技研究院	31	160	6.0	12.0
2	张庆瑜	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	92	897	16.0	25.0
3	唐鑫	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	8	93	5.0	8.0
4	马春雨	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	22	178	8.0	12.0
5	吕海峰	中国科学院计算机网络信息中心超级计算中心	6	92	4.0	6.0