Be掺杂纤锌矿ZnO电子结构的第一性原理研究

• 作者: 吕海峰 唐鑫 张庆瑜 赵纪军 马春雨
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 密度泛函理论 电子结构 Be掺杂ZnO
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 7806-7813
• 页数: 8页
• 分类号: O6
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.12.064

摘要

采用密度泛函理论结合投影缀加波方法,对Be掺杂导致ZnO禁带宽度增加的机理进行了研究.通过对掺杂前后电子能带结构、总态密度以及分态密度的计算和比较,发现导带底(CBM)是由Be 2s电子与Zn 4s电子共同控制;而BexZn1-xO价带顶 (VBM)始终由O 2p电子占据.随着掺杂量的增加,决定带隙宽度的CBM的位置上升,同时VBM的位置下降,从而导致了带隙的变宽,出现了蓝移现象.此外,Be掺杂会使晶胞发生压缩,这种压应变也是导致BexZn1-xO禁带宽度变宽的原因之一.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵纪军	大连理工大学高科技研究院	31	160	6.0	12.0
2	张庆瑜	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	92	897	16.0	25.0
3	唐鑫	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	8	93	5.0	8.0
4	马春雨	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	22	178	8.0	12.0
5	吕海峰	中国科学院计算机网络信息中心	6	92	4.0	6.0