调制n型掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构的发光特性

• 作者: 三野弘文 冀子武 小嶋映二 嶽山正二郎 秋本良一
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光致发光 二维电子气 带电激子 Ⅱ型量子阱
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3260-3266
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 3066字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.101

摘要

报道了调制n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSeⅡ型量子阱(type-ⅡQW)在极低温至室温(1.4-296K)条件下的各种光学性质.反射光谱显示了对于非掺杂样品,激子(X)的跃迁起着支配作用,而只有在掺杂样品的光谱里展示了一个典型的负的带电激子(X-)的跃迁特征.PL光谱及其直线偏振度P1都显著地依赖于n型掺杂量和平行于QW生长方向的外加电场.这个特征被认为是由n型掺杂导致了内秉电场(built-in electric field)消失及外加电场引起斯塔克效应(Stark effects)所致.还用外加电场方法证明了内秉电场的存在.超强磁场(高达180T)下的回旋共振(CR)测量证实了掺杂样品中确实存在着较高浓度的二维电子气,并且这些电子受限于ZnSe阱层中.以上实验结果显示在掺杂样品中同时观察到了Ⅰ型(空间直接)跃迁和Ⅱ型(空间间接)跃迁中的带电激子特征,同时也显示了所用样品达到了预期的设计目的.