In-N共掺杂ZnO第一性原理计算

• 作者: 丁少锋 章勇 范广涵 陈琨
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 密度泛函理论(DFT) 第一性原理 N掺杂ZnO In-N共掺杂ZnO
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3138-3147
• 页数: 10页
• 分类号: O4
• 字数: 4471字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.082

摘要

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法计算了纤锌矿ZnO,N掺杂和In-N共掺杂ZnO晶体的电子结构,分析了N掺杂和In-N共掺杂ZnO晶体的能带结构、电子态密度、差分电荷分布以及H原子对In-N共掺杂ZnO的影响.计算结果表明:N掺杂ZnO在能隙中引入了深受主能级,载流子(空穴)局域于价带顶附近.而加入激活施主In的In-N共掺杂ZnO,受主能级向低能方向移动,形成了浅受主能级.同时,受主能级带变宽、非局域化特征明显、提高了掺杂浓度和系统的稳定性.文章的结论与实验结果相符,从而为实验上,In的掺入有助于实现ZnO的p型掺杂提供了理论支持.文中还指出H原子的存在会大大降低掺杂效率,对p型掺杂产生不利影响,应该在反应中尽量避免.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	章勇	华南师范大学光电子材料与技术研究所	37	273	8.0	16.0
3	陈琨	华南师范大学光电子材料与技术研究所	6	154	4.0	6.0
4	丁少锋	华南师范大学光电子材料与技术研究所	9	157	6.0	9.0