Ag掺杂ZnO的第一性原理计算

• 作者: 万齐欣 乐淑萍 戴江南 江风益 熊志华 王古平 饶建平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO Ag 第一性原理 电子结构
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 696-700
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.02
• 字数: 3077字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.05.013

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Ag掺杂ZnO的几何结构、杂质形成能和电子结构进行了比较系统的研究.研究表明,掺Ag导致晶格膨胀;在ZnO晶格中,杂质Ag最可能以替代Zn位出现,此时将形成一个深受主能级.文中的计算结果与其他研究者的实验结果相吻合.