硫系非晶半导体薄膜的光致效应

• 作者: 刘启明 干福熹 胡婷 赵修建
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硫系非晶半导体薄膜 光致效应 氩离子激光辐照
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文,中文
• 页码范围: 937-941
• 页数: 5页
• 分类号: TQ171.734
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2009.06.007

摘要

采用热蒸镀膜方法,在制备出As2S3、As2Se3、GeS2、GeSe2、Ge20As25S55、Ge20As25Se55和Ge10As40S20Se30七个体系硫系非晶态半导体薄膜的基础上,运用X射线粉末衍射、扫描电镜、透射电镜和吸收或透射光谱等测试手段,系统地探讨了薄膜在氩离子激光辐照作用下的光致暗化、光致漂白和光致结晶等光致效应及机理.在As2S3、As2Se3和Ge10As40S20Se30薄膜中观察到明显的光致暗化效应,而在GeS2、GeSe2、Ge20As25S55和Ge20As25Se55薄膜中则观察到明显的光致漂泊效应.经氩离子激光辐照后,在薄膜中均观察到明显的光致结晶现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	干福熹	中国科学院上海光学精密机械研究所	288	2527	23.0	29.0
3	赵修建	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	220	2735	25.0	43.0
4	刘启明	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	11	68	4.0	8.0
5	胡婷	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	1	3	1.0	1.0