改进型GaN材料的掺杂工艺研究

• 作者: 曾正清 李峰 李朝木 王宝林
• 来源期刊: 真空与低温
• 学科: 工学
• 关键词: GaN材料 掺杂浓度 光致发光 退火温度
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 233-237
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 3165字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-7086.2009.04.008

摘要

采用低压金属有机化学气相沉积法在蓝宝石(0001)衬底上生长2～5μm厚度的P-AlxGa1-xN/GaN层(0＜x≤0.4),在AlxGa1-x层中的Al浓度为0.2＜x＜0.7.优化了影响P型GaN性质的生长参数:Mg流量、生长温度和Ⅴ/Ⅲ比.过量的Mg源流量、过高的生长温度、过大的Ⅴ/Ⅲ比都会降低自由空穴浓度;研究了退火温度对P型GaN空穴浓度和光致发光的影响,获得了最佳退火温度为680～750℃的范围.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李峰	中国电子科技集团公司第五十五研究所	24	32	3.0	5.0
2	王宝林	中国电子科技集团公司第五十五研究所	3	7	1.0	2.0
3	李朝木	中国电子科技集团公司第五十五研究所	8	47	5.0	6.0
4	曾正清	中国电子科技集团公司第五十五研究所	5	29	3.0	5.0