基于GaN材料p型掺杂的研究进展

• 作者: 刘一兵 刘安宁 肖宏志 黄新民
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN P型掺杂 退火 激活 机理
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 146-149
• 页数: 4页
• 分类号: TN213
• 字数: 3529字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.03.007

摘要

GaN材料作为第三代半导体材料已成为短波长光电子器件及高频,高压、高温微电子器件制备的最优选材料,而难以获得高质量的P型GaN成为阻碍GaN器件进一步发展和应用的重要原因.介绍了P型掺杂存在的问题,讨论了P型掺杂的激活方法和机理,综述了目前P型掺杂国内外的研究进展情况,最后指出了今后的研究方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘一兵	湖南大学电气与信息工程学院	22	487	12.0	22.0
5	黄新民	湖南大学电气与信息工程学院	11	190	5.0	11.0
7	刘安宁	邵阳职业技术学院机电工程系	10	93	5.0	9.0
8	肖宏志	邵阳职业技术学院机电工程系	13	139	5.0	11.0