ZnO薄膜p型掺杂的研究进展

• 作者: 叶志镇 吕建国 张银珠 徐伟中
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO薄膜 p型掺杂 特性
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 11-18
• 页数: 8页
• 分类号: TN304|O475
• 字数: 4342字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2003.01.002

摘要

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有许多优异的性能.但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷(如空位氧Vo和间隙锌Zni),对受主产生高度自补偿作用,天然为n型半导体,难以实现p型转变.ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直是ZnO研究中的主要课题,目前已取得重大进展,文章对此进行了详细阐述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	张银珠	浙江大学硅材料国家重点实验室	21	434	9.0	20.0
3	吕建国	浙江大学硅材料国家重点实验室	35	769	12.0	27.0
4	徐伟中	浙江大学硅材料国家重点实验室	5	134	4.0	5.0