ZnO薄膜离子注入改性的研究进展

• 作者: 梅芳 肖世发 莫东 薛书文 黄子康
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌 离子注入 掺杂
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 器件制备技术及器件物理
• 页码范围: 367-371
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.3
• 字数: 3751字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2009.03.008

摘要

ZnO是一种在短波长光电器件领域有巨大应用价值的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,离子注入是常用的半导体掺杂技术,文章综述了国内外近年来离子注入技术在ZnO的n、p型掺杂等方面的研究进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖世发	湛江师范学院物理系	8	26	3.0	5.0
2	梅芳	湛江师范学院物理系	22	47	4.0	5.0
3	薛书文	湛江师范学院物理系	15	58	4.0	6.0
4	莫东	湛江师范学院物理系	2	3	1.0	1.0
5	黄子康	湛江师范学院物理系	2	3	1.0	1.0