基准电路中重汇聚导致的SET脉冲展宽效应

• 作者: 梁斌 陈建军 陈跃跃
• 来源期刊: 计算机工程与科学
• 学科: 工学
• 关键词: 电路模拟 重汇聚 传播 SET
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 所属期刊栏目: 体系结构与微电子技术
• 页码范围: 89-91,138
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3397字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-130X.2009.07.025

摘要

本文采用电路模拟手段对典型基准组合电路中的SET传播特性进行了研究,发现了一类新的导致脉冲展宽效应的机理--扇出重汇聚.根据重汇聚点逻辑门类型和输入脉冲特征的不同,重汇聚可以引发两种类型的脉冲.这两类脉冲具有截然不同的特征,一类脉冲的宽度与原始SET脉冲宽度无关,而另一类脉冲的宽度与原始SET脉冲宽度基本成线性关系,并在原始SET脉冲宽度的基础上存在净的展宽或者压缩.当空间重离子在电路的输入端附近轰击产生一个宽度为200ps的脉冲时,传播到输出端的脉冲宽度可达690ps,被后续时序单元俘获的概率从5%升高到29.5%,整整提高了近6倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁斌	国防科技大学计算机学院	17	102	6.0	9.0
2	陈建军	国防科技大学计算机学院	15	50	6.0	6.0
3	陈跃跃	国防科技大学计算机学院	8	28	3.0	5.0