NBTI效应导致SET脉冲在产生与传播过程中的展宽

• 作者: 刘征 刘必慰 梁斌 秦军瑞 陈书明 陈建军
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 负偏置温度不稳定性(NBTI) 单粒子瞬态(SET) 脉冲 脉冲展宽 解析模型
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 996-1001
• 分类号: TN306
• 字数: 3796字
• 语种: 中文

摘要

本文研究了负偏置温度不稳定性(NBTI)对单粒子瞬态(SET)脉冲产生与传播过程的影响.研究结果表明:NBTI能够导致SET脉冲在产生与传播的过程中随时间而不断展宽.本文还基于工艺计算机辅助设计模拟软件(TCAD)进行器件模拟,提出了一种在130nm体硅工艺下,计算SET脉冲宽度的解析模型,并结合NBTI阈值电压退化的解析模型,建立了预测SET脉冲宽度在产生的过程中随PMOS器件的NBTI退化而不断展宽的解析模型,TCAD器件模拟的结果与解析模型的预测一致;本文还进一步建立了预测SET脉冲宽度在传播的过程中随PMOS器件的NBTI退化而不断展宽的解析模型,SPICE电路模拟的结果与解析模型所预测的结论一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈书明	国防科技大学计算机学院	65	467	11.0	18.0
2	刘必慰	国防科技大学计算机学院	17	101	6.0	9.0
3	梁斌	国防科技大学计算机学院	17	102	6.0	9.0
4	陈建军	国防科技大学计算机学院	15	50	6.0	6.0
5	刘征	国防科技大学计算机学院	6	66	4.0	6.0
6	秦军瑞	国防科技大学计算机学院	6	23	4.0	4.0