高压下GaAs的电子结构的从头计算

• 作者: 朱兴华 杨定宇 杨维清 高秀英 魏昭荣
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 闪锌矿结构 密度泛函理论 能带结构
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1361-1364
• 页数: 4页
• 分类号: O737
• 字数: 2032字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2009.05.30

摘要

应用密度泛函理论从头计算了不同压强下半导体GaAs闪锌矿结构的电子结构,得到了各个高压下平衡时晶格常数、总能量、键长和能带结构等性质,并且获得了直接带隙结构向间接带隙结构转化的临界压强为8.65 GPa, 与实验值符合得很好,结合实验值详细地讨论了高压下GaAs的电子结构以及电学性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱兴华	成都信息工程学院光电技术系	32	98	6.0	7.0
2	杨定宇	成都信息工程学院光电技术系	39	148	6.0	9.0
3	杨维清	成都信息工程学院光电技术系	9	16	3.0	3.0
4	高秀英	成都信息工程学院光电技术系	9	19	2.0	4.0
5	魏昭荣	成都信息工程学院光电技术系	16	39	3.0	5.0