新型纳米薄膜钪钨阴极的研究

• 作者: 李季 王萍
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米薄膜钪钨阴极 纳米级钪钨粉 大电流密度
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 17-22
• 页数: 6页
• 分类号: O462
• 字数: 4306字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2009.03.005

摘要

介绍了一种新型的纳米薄膜钪钨阴极,该阴极在1000℃(亮度温度)可以提供至少150 A/cm2的拐点电流密度.同时作者指出:含钪阴极的发射机制倾向于热电子发射机制还是"场助热电子发射"机制主要取决于阴极表面发射小岛的形成和维持.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李季		23	100	5.0	8.0
2	王萍		1	3	1.0	1.0