UO2表面铝薄膜生长过程的AES原位研究

• 作者: 刘柯钊 周韦 杨江荣 肖红
• 来源期刊: 核化学与放射化学
• 学科: 化学
• 关键词: UO2 铝薄膜 AES 界面反应 生长方式
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 109-113
• 页数: 5页
• 分类号: O657.62
• 字数: 4557字
• 语种: 中文

摘要

室温下在俄歇电子能谱(AES)分析仪超高真空室中,通入适量O2,促使基底U表面氧化,生成UO2,然后利用Ar+枪溅射铝箔,使铝沉积在UO2表面形成Al薄膜.沉积过程中实时采集UO2表面的AES谱和低能电子损失谱(EELS),原位分析铝薄膜在UO2表面的生长过程和膜间界面反应.研究表明,室温下, UO2表面的铝薄膜以岛状方式生长;铝与UO2之间存在相互作用,电子从铝原子向UO2中的铀离子转移,由于表面吸附氧的作用,在UO2/Al界面处存在少量的Al2O3;沉积Al原子与UO2之间发生明显的扩散行为,铝向UO2中扩散,形成了一个氧化态铀、金属铀和铝三者共存区.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周韦	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	10	24	3.0	4.0
2	刘柯钊		13	36	2.0	5.0
3	肖红		5	5	1.0	1.0
4	杨江荣		10	26	3.0	4.0