Si（111）面电子结构、表面能和功函数的第一性原理研究

• 作者: 冯丽萍 刘其军 刘正堂
• 来源期刊: 中山大学研究生学刊：自然科学与医学版
• 学科: 物理学
• 关键词: SI(111) 电子结构 表面能 功函数 第一性原理
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 页码范围: 71-77
• 页数: 7页
• 分类号: O561.2

摘要

本文采用基于密度泛函理论（DFT）框架下的平面波超软赝势法研究了体相Si和Si（111）面。计算得到的体相Si的晶格常数、体积模量和结合能较好地与其它文献结果吻合。在表面结构中，由于Si-3p态的影响导致键长和电荷密度的改变。键长在第一二层，二三层和三四层之间由2．338A变为2．286A，2．382A，2．352A，电荷密度由0．57946×10^3 electrons／nm^3变为0．60419×10^3，0．5143×10^3和0．55925×10^3 electrons／nm^3。计算得到的Si（111）的表面能和功函数为Si的应用提供了理论依据。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘正堂	西北工业大学材料学院	120	749	14.0	21.0
2	冯丽萍	西北工业大学材料学院	45	159	7.0	9.0
3	刘其军	西北工业大学材料学院	27	69	5.0	7.0