CMOS有源集成像素传感器检测高能物理粒子

• 作者: Yavuz Degerli 姜来 李琰 纪震
• 来源期刊: 深圳大学学报（理工版）
• 学科: 工学
• 关键词: 国际线性电子对撞机 CMOS有源像素传感器 相关双次采样 随机噪声 固定噪声 电荷-电压转换系数
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 电子与信息工程
• 页码范围: 30-35
• 页数: 6页
• 分类号: TN432.1|TP212.9
• 字数: 3868字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2618.2009.01.007

摘要

研究适用于下一代国际线性电子对撞机中顶点探测器的CMOS有源集成像素传感器.实验芯片现采用标准 0.35 μm CMOS 工艺设计,像素矩阵为128行×32列,像素大小为25 μm×25 μm,在像素内部实现相关双次采样技术.通过采用放射源55Fe测定, 芯片等效输入随机噪声为12个电子,而固定噪声为3个电子.传感器的电荷-电压转换系数达59 μV/e-.在170 MHz工作主频下,芯片信号处理速度达12 μs/帧.芯片模拟部分功耗小于30 mW.